Toshiba Semiconductor and Storage
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CRZ12(TE85L,Q,M)
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CRZ12(TE85L,Q,M)

X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V
Número de pieza
CRZ12(TE85L,Q,M)
Fabricante/Marca
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tolerancia
±10%
Paquete / Estuche
SOD-123F
Potencia - Máx.
700mW
Paquete de dispositivo del proveedor
S-FLAT (1.6x3.5)
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
1V @ 200mA
Corriente - Fuga inversa @ Vr
10µA @ 8V
Voltaje - Zener (Nom) (Vz)
12V
Impedancia (Máx.) (Zzt)
30 Ohms
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