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HN4K03JUTE85LF
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Número de pieza
HN4K03JUTE85LF
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paquete de dispositivo del proveedor
USV
Disipación de energía (máx.)
200mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
8.5pF @ 3V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V
Vgs (máx.)
10V
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