Comprar Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU(TE85L,F) MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

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SSM5H12TU(TE85L,F)

MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

Número de pieza

SSM5H12TU(TE85L,F)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Paquete de dispositivo del proveedor

UFV

Disipación de energía (máx.)

500mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Schottky Diode (Isolated)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.9A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

133 mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 4V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

123pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4V

Vgs (máx.)

±12V

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