Comprar Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

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SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Número de pieza

SSM6H19NU,LF

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVII-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-UDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

6-UDFN (2x2)

Disipación de energía (máx.)

1W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

185 mOhm @ 1A, 8V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.2V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 8V

Vgs (máx.)

±12V

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