Comprar Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE,LF MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6

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Hojas de datos

SSM6J207FE,LF

MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6

Número de pieza

SSM6J207FE,LF

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSII

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-563, SOT-666

Paquete de dispositivo del proveedor

ES6 (1.6x1.6)

Disipación de energía (máx.)

500mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.4A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

251 mOhm @ 650mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.6V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

137pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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