Comprar Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE,LF MOSFET P-CH 20V 4A ES6

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SSM6J212FE,LF

MOSFET P-CH 20V 4A ES6

Número de pieza

SSM6J212FE,LF

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-563, SOT-666

Paquete de dispositivo del proveedor

ES6

Disipación de energía (máx.)

500mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

40.7 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

14.1nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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