Comprar Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU,LF MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

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Hojas de datos

SSM6J503NU,LF

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

Número de pieza

SSM6J503NU,LF

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-WDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

6-UDFNB (2x2)

Disipación de energía (máx.)

1W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

32.4 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

12.8nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 10V

Vgs (máx.)

±8V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.5V, 4.5V

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