Comprar Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU,LF MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B

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Hojas de datos

SSM6J512NU,LF

MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B

Número de pieza

SSM6J512NU,LF

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVII

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-WDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

6-UDFNB (2x2)

Disipación de energía (máx.)

1.25W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

12V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

16.2 mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 6V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 8V

Vgs (máx.)

±10V

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