Comprar Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K403TU,LF MOSFET N-CH 20V 4.2A

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Hojas de datos

SSM6K403TU,LF

MOSFET N-CH 20V 4.2A

Número de pieza

SSM6K403TU,LF

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-SMD, Flat Leads

Paquete de dispositivo del proveedor

UF6

Disipación de energía (máx.)

500mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.2A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 3A, 4V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

16.8nC @ 4V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.5V, 4V

Vgs (máx.)

±10V

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