Comprar Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

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Hojas de datos

SSM6L09FUTE85LF

MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

Número de pieza

SSM6L09FUTE85LF

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Potencia - Máx.

300mW

Paquete de dispositivo del proveedor

US6

Tipo FET

N and P-Channel

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

400mA, 200mA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 200MA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.8V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 5V

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