Comprar Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

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Hojas de datos

SSM6N16FUTE85LF

MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

Número de pieza

SSM6N16FUTE85LF

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Potencia - Máx.

200mW

Paquete de dispositivo del proveedor

US6

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Standard

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100mA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.1V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9.3pF @ 3V

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