Comprar Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35FE,LM MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

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SSM6N35FE,LM

MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

Número de pieza

SSM6N35FE,LM

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-563, SOT-666

Potencia - Máx.

150mW

Paquete de dispositivo del proveedor

ES6 (1.6x1.6)

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

180mA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 3V

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