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TK100L60W,VQ
MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
Número de pieza
TK100L60W,VQ
Fabricante/Marca
Serie
DTMOSIV
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-3PL
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-3P(L)
Disipación de energía (máx.)
797W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Super Junction
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.7V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
15000pF @ 30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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