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TK10J80E,S1E
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Número de pieza
TK10J80E,S1E
Fabricante/Marca
Serie
π-MOSVIII
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-3P-3, SC-65-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-3P(N)
Disipación de energía (máx.)
250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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