Toshiba Semiconductor and Storage
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TK13E25D,S1X(S
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TK13E25D,S1X(S

MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB
Número de pieza
TK13E25D,S1X(S
Fabricante/Marca
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220-3
Disipación de energía (máx.)
102W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
250V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
13A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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