Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(S MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

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TK18E10K3,S1X(S

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Número de pieza

TK18E10K3,S1X(S

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220-3

Disipación de energía (máx.)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

18A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

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