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TK1K2A60F,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Número de pieza
TK1K2A60F,S4X
Fabricante/Marca
Serie
U-MOSIX
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220SIS
Disipación de energía (máx.)
35W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 630µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 300V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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