Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK20G60W,RVQ MOSFET N CH 600V 20A D2PAK

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TK20G60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 20A D2PAK

Número de pieza

TK20G60W,RVQ

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D2PAK

Disipación de energía (máx.)

165W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Super Junction

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

20A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

155 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.7V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 300V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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