Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U(F) MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN

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TK20J60U(F)

MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN

Número de pieza

TK20J60U(F)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSII

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-3P-3, SC-65-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-3P(N)

Disipación de energía (máx.)

190W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

20A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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