Toshiba Semiconductor and Storage
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TK290P65Y,RQ
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TK290P65Y,RQ

MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Número de pieza
TK290P65Y,RQ
Fabricante/Marca
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSV
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
100W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 450µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
730pF @ 300V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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