Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W5,S1VQ MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

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TK31J60W5,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Número de pieza

TK31J60W5,S1VQ

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-3P-3, SC-65-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-3P(N)

Disipación de energía (máx.)

230W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Super Junction

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

30.8A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

88 mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.7V @ 1.5mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 300V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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