Toshiba Semiconductor and Storage
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TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q)

MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
Número de pieza
TK35E10K3(S1SS-Q)
Fabricante/Marca
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220
Disipación de energía (máx.)
-
Tipo FET
-
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
-
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
-
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
-
Vgs (máx.)
-
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