Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1(Q) MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

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TK55D10J1(Q)

MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

Número de pieza

TK55D10J1(Q)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220(W)

Disipación de energía (máx.)

140W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

55A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.3V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5700pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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