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TK6Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
Número de pieza
TK6Q65W,S1Q
Fabricante/Marca
Serie
DTMOSIV
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paquete de dispositivo del proveedor
I-PAK
Disipación de energía (máx.)
60W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5.8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 180µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 300V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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