Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W,S1X MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

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TK7E80W,S1X

MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

Número de pieza

TK7E80W,S1X

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220

Disipación de energía (máx.)

110W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6.5A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

950 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 280µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 300V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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