Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2A06PL,S4X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

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TK8R2A06PL,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Número de pieza

TK8R2A06PL,S4X

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220SIS

Disipación de energía (máx.)

36W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

50A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

11.4 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 300µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

28.4nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1990pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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