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TK9P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Número de pieza
TK9P65W,RQ
Fabricante/Marca
Serie
DTMOSIV
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
80W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9.3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
560 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 350µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 300V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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