Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH,L1Q MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

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Hojas de datos

TPW4R008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

Número de pieza

TPW4R008NH,L1Q

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-DSOP Advance

Disipación de energía (máx.)

800mW (Ta), 142W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

80V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

116A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 40V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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