Comprar Transphorm TP65H035WS MOSFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

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TP65H035WS

MOSFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Número de pieza

TP65H035WS

Fabricante/Marca

Transphorm

Estado de la pieza

Active

Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247-3

Disipación de energía (máx.)

156W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

46.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

41 mOhm @ 30A, 8V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.8V @ 700µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 400V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

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