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HCT7000M
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
Número de pieza
HCT7000M
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
3-SMD, No Lead
Paquete de dispositivo del proveedor
3-SMD
Disipación de energía (máx.)
300mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
200mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±40V
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