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HCT802
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
Número de pieza
HCT802
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-SMD, No Lead
Potencia - Máx.
500mW
Paquete de dispositivo del proveedor
6-SMD
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
90V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2A, 1.1A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
70pF @ 25V
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