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3N163-2

3N163-2

MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
Número de pieza
3N163-2
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-72
Disipación de energía (máx.)
375mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
50mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
250 Ohm @ 100µA, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 10µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3.5pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
Vgs (máx.)
±30V
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