Comprar Vishay Siliconix IRFSL11N50APBF MOSFET N-CH 500V 11A TO-262

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IRFSL11N50APBF

MOSFET N-CH 500V 11A TO-262

Número de pieza

IRFSL11N50APBF

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-262-3

Disipación de energía (máx.)

190W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

500V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

550 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1426pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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