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IRLD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Número de pieza
IRLD110PBF
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Disipación de energía (máx.)
1.3W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4V, 5V
Vgs (máx.)
±10V
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