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SI3552DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
Número de pieza
SI3552DV-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Potencia - Máx.
1.15W
Paquete de dispositivo del proveedor
6-TSOP
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
-
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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