Comprar Vishay Siliconix SI4010DY-T1-GE3 MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO

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Hojas de datos

SI4010DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO

Número de pieza

SI4010DY-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TA)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

6W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

31.3A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3595pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

+20V, -16V

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