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SI4310BDY-T1-E3

SI4310BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
Número de pieza
SI4310BDY-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
1.14W, 1.47W
Paquete de dispositivo del proveedor
14-SOIC
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7.5A, 9.8A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2370pF @ 15V
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Palabras clave deSI4310BDY-T1-E3
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