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SI4501ADY-T1-GE3

SI4501ADY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
Número de pieza
SI4501ADY-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
1.3W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
N and P-Channel, Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V, 8V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.3A, 4.1A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Palabras clave deSI4501ADY-T1-GE3
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