Comprar Vishay Siliconix SI4511DY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

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Hojas de datos

SI4511DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Número de pieza

SI4511DY-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Potencia - Máx.

1.1W

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Tipo FET

N and P-Channel

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

7.2A, 4.6A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

14.5 mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.8V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

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