Comprar Vishay Siliconix SI5499DC-T1-E3 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

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SI5499DC-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

Número de pieza

SI5499DC-T1-E3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SMD, Flat Lead

Paquete de dispositivo del proveedor

1206-8 ChipFET™

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta), 6.2W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

800mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 4V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±5V

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