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SI6924AEDQ-T1-E3

SI6924AEDQ-T1-E3

MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
Número de pieza
SI6924AEDQ-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Potencia - Máx.
1W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-TSSOP
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
28V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.1A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Palabras clave deSI6924AEDQ-T1-E3
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