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SI6967DQ-T1-GE3

SI6967DQ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Número de pieza
SI6967DQ-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Potencia - Máx.
1.1W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-TSSOP
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
8V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
-
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
450mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Palabras clave deSI6967DQ-T1-GE3
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