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SI6968BEDQ-T1-GE3

SI6968BEDQ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
Número de pieza
SI6968BEDQ-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Potencia - Máx.
1W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-TSSOP
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5.2A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Palabras clave deSI6968BEDQ-T1-GE3
SI6968BEDQ-T1-GE3 Componentes electrónicos
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