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SI9407BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC

Número de pieza

SI9407BDY-T1-E3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

2.4W (Ta), 5W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.7A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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