Comprar Vishay Siliconix SIA810DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA810DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Número de pieza

SIA810DJ-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Disipación de energía (máx.)

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Schottky Diode (Isolated)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

53 mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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