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SIA814DJ-T1-GE3

SIA814DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
Número de pieza
SIA814DJ-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
LITTLE FOOT®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Disipación de energía (máx.)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
61 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 10V
Vgs (máx.)
±12V
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