Comprar Vishay Siliconix SIB900EDK-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

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Hojas de datos

SIB900EDK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Número de pieza

SIB900EDK-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SC-75-6L Dual

Potencia - Máx.

3.1W

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® SC-75-6L Dual

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.5A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

225 mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

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