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SIHA120N60E-GE3

SIHA120N60E-GE3

MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN
Número de pieza
SIHA120N60E-GE3
Fabricante/Marca
Serie
E
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220 Full Pack
Disipación de energía (máx.)
34W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
25A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1562pF @ 100V
Vgs (máx.)
±30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
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SIHA120N60E-GE3 Componentes electrónicos
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