Comprar Vishay Siliconix SIHD3N50D-E3 MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

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SIHD3N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Número de pieza

SIHD3N50D-E3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

D-PAK (TO-252AA)

Disipación de energía (máx.)

69W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

500V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.2 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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