La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SIHP12N50C-E3

SIHP12N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB
Número de pieza
SIHP12N50C-E3
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
-
Disipación de energía (máx.)
208W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
555 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1375pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 32184 PCS
Información del contacto
Palabras clave deSIHP12N50C-E3
SIHP12N50C-E3 Componentes electrónicos
SIHP12N50C-E3 Ventas
SIHP12N50C-E3 Proveedor
SIHP12N50C-E3 Distribuidor
SIHP12N50C-E3 Tabla de datos
SIHP12N50C-E3 Fotos
SIHP12N50C-E3 Precio
SIHP12N50C-E3 Oferta
SIHP12N50C-E3 El precio más bajo
SIHP12N50C-E3 Buscar
SIHP12N50C-E3 Adquisitivo
SIHP12N50C-E3 Chip